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302023-11 隨著(zhù)集成電路工藝技術(shù)的不斷提高，晶體管的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷減小，溝槽及其側壁的鍍膜技術(shù)面臨嚴峻的挑戰，物理氣相沉積（PVD）及化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足極小尺寸下良好的...
122023-07 1、ALD表面化學(xué)機制：ALD是化學(xué)氣相沉積（CVD）的一類(lèi)變種，其基本原理是將氣相前驅體以脈沖的形式交替通入反應腔體中，氣相前驅體在基底表面發(fā)生化學(xué)吸附并進(jìn)行自限制的表面化學(xué)反應，從而實(shí)現薄膜的原子層級別的生長(cháng)（圖1...
242023-04 “碳達峰”和“碳中和”一直都是能源領(lǐng)域的熱點(diǎn)話(huà)題，作為助力“雙碳”戰略的生力軍，光伏產(chǎn)業(yè)具有舉足輕重的地位。目前光伏的主力是硅太陽(yáng)能電池，它們具有效率高、穩定性好、產(chǎn)業(yè)鏈完備、使用壽命長(cháng)的優(yōu)勢。然而，晶硅電池的轉換...
242022-08 原子層沉積（ALD）技術(shù)憑借其獨特的表面自限性生長(cháng)原理，優(yōu)異的共形性、大面積的均勻性，可適用于復雜三維表面沉積以及深孔洞均勻填隙生長(cháng)等特點(diǎn)，受到半導體行業(yè)的青睞。 雖然與CVD相比，ALD存在產(chǎn)出低、成本高的缺點(diǎn)，然...